| 主权项 |
一种记忆体装置，包含：一基底，具有一深沟渠及一上表面；一深沟渠电容器，位于该深沟渠下部；一导线结构，位于该深沟渠内之该深沟渠电容器上方，其中该导线结构包含：一导电层连接该深沟渠电容器、一领型介电层位于深沟渠侧壁以包围该导电层、及一埋入带层位于该领型介电层上方并邻接该导电层；一埋入带阻挡层，位于该领型介电层上方之深沟渠侧壁邻接该基底及该埋入带层；以及一埋入带外扩散区域，位于该基底中且邻近该埋入带阻挡层，其中该埋入带外扩散区域之掺杂物仅来自于该埋入带层，其中该导电层系由金属化合物构成。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，其中该基底系包含矽。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，其中该深沟渠电容器系包含：一埋入式下电极板位于该基底内之该深沟渠下方、一节点介电层位于该深沟渠下方侧壁及该深沟渠底部并邻接该埋入式下电极板、及一上电极板位于该深沟渠内由该介电层所包围。如申请专利范围第3项所述之记忆体装置，其中该导电层系包含氮化钛(TiN)。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，其中该埋入带阻挡层系具有一厚度约5至7@sIMGCHAR!d10012.TIF@eIMG!。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，其中该埋入带层系包含非晶矽层。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，更包含一浅沟槽绝缘层，其嵌入该导线结构之部分上方区域。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，其中该埋入带阻挡层系由氧化物或氮化物材料构成。如申请专利范围第1项所述之记忆体装置，其中该埋入带阻挡层系由氧化矽或氮化矽材料构成。一种记忆体装置的制造方法，包含：提供一基底；形成一深沟渠于该基底中；形成一深沟渠电容器于该深沟渠下部；形成一领型介电层于该深沟渠电容器上方之该深沟渠侧壁；形成一导电层于该深沟渠内邻接该深沟渠电容器，并由该领型介电层所包围；形成一埋入带层于该领型介电层上方并邻接该导电层，以形成导线结构；形成一埋入带阻挡层于该领型介电层上方之深沟渠侧壁；以及形成一埋入带外扩散区域于邻近该埋入带阻挡层之基底中，其中该埋入带外扩散区域之掺杂物仅来自于该埋入带层，其中该导电层系由金属化合物构成。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中形成该深沟渠之方法，包含：沉积一垫层于该基底上；图形化该垫层；以及以该垫层为罩幕，蚀刻该基底。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中形成该深沟渠电容器之方法，包含：形成一埋入式下电极板，位于该基底内之该深沟渠下方；形成一节点介电层，位于该深沟渠下方侧壁及该深沟渠底部并邻接该埋入式下电极板；以及形成一上电极板，位于该深沟渠内由该介电层所包围。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中形成该领型介电层之方法，包含：沉积一氧化矽层覆盖该深沟渠电容器、该深沟渠侧壁及该基底；进行一快速热制程(RTP)以致密化该氧化矽层；以及蚀刻该氧化矽层以暴露出该深沟渠电容器。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中该导电层系由一氮化钛(TiN)材料所构成。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中该埋入带层系由一非晶矽材料所构成。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，更包含形成一浅沟槽绝缘层，嵌入该导线结构之部分上方区域。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中该埋入带阻挡层系具有一厚度约5至7@sIMGCHAR!d10013.TIF@eIMG!。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中该埋入带阻挡层系由氧化物或氮化物材料构成。如申请专利范围第10项所述之记忆体装置的制造方法，其中该埋入带阻挡层系由氧化矽或氮化矽材料构成。 |
