| 主权项 |
一种奈米碳管场发射显示器，包括：一阴极基板；以及一阳极基板，配置于该阴极基板上方，该阳极基板包括：一第一基板，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面面对该阴极基板；一阳极电极，配置于该第一基板的该第一表面上；一萤光材料层，全面地覆盖于该阳极电极与该阴极基板之间；多个彩色滤光薄膜，配置于该萤光材料层与该第一基板之间，其中该萤光材料层直接地且全面地覆盖于该些彩色滤光薄膜上，而该些彩色滤光薄膜直接地配置于该阳极电极上。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该些彩色滤光薄膜配置于该萤光材料层与该阳极电极之间。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该些彩色滤光薄膜配置于该阳极电极与该第一基板之间。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该些彩色滤光薄膜包括红光滤光薄膜、绿光滤光薄膜以及蓝光滤光薄膜。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阳极基板更包括一黑矩阵层，配置于该些彩色滤光薄膜之间，且该些彩色滤光薄膜部份覆盖该黑矩阵层。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阴极基板包括：一第二基板；多条阴极线，配置于该第二基板上；多个场发射元件，配置于该第二基板上，每一场发射元件分别与该些阴极线之一电性相连；多条闸极线，配置于该些阴极线上方，每一闸极线具有多个开孔，且每一开孔分别暴露该些场发射元件之一，而每一场发射元件分别对应于该些彩色滤光薄膜之一。如申请专利范围第6项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该些场发射元件包括奈米碳管。如申请专利范围第6项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阴极基板更包括一绝缘层，配置于该些阴极线与该些闸极线之间，而该些闸极线之该些开孔更延伸至该绝缘层，以暴露该些场发射元件。如申请专利范围第8项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该绝缘层之材质包括玻璃。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阴极基板包括：一第二基板；多条阴极线，配置于该第二基板上；多条闸极线，配置于该第二基板上；多个主动元件，配置于该第二基板上，每一主动元件分别与该些阴极线之一以及该些闸极线之一电性相连；多个场发射元件，配置于该第二基板上，每一场发射元件分别与该些主动元件之一电性相连，且每一场发射元件分别对应于该些彩色滤光薄膜之一。如申请专利范围第10项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该些场发射元件包括奈米碳管。如申请专利范围第10项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阴极基板更包括一绝缘层，该绝缘层覆盖该些阴极线、该些闸极线以及该些主动元件，而该些场发射元件配置于该绝缘层上。如申请专利范围第12项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该绝缘层之材质包括玻璃。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，更包括多个间隔物(spacer)，配置于该阴极基板与该阳极基板之间。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阳极电极之材质包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)或其他透明之导电材质。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该萤光材料层之材质包括白光萤光材料。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阳极基板与该阴极基板之间的距离介于1毫米(mm)至50毫米之间。如申请专利范围第17项所述之奈米碳管场发射显示器，其中该阳极基板与该阴极基板之间的距离介于1毫米至5毫米之间。 |
