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L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant, sur un même substrat (100, 200), au moins un composant électro-mécanique (C) doté d'une structure mobile en semi-conducteur monocristallin et de moyens d'actionnement et/ou de détection de la structure mobile, et d'au moins un transistor (T), le procédé comprenant les étapes consistant à : a) prévoir un substrat doté d'au moins une première couche semi-conductrice (100, 200) comportant au moins une région (104, 204) dans laquelle une zone de canal dudit transistor est prévue, b) graver une deuxième couche semi-conductrice (112, 212) à base d'un matériau semi-conducteur donné, reposant sur une couche isolante (106, 206) placée sur la première couche semi-conductrice, de manière à former, au moins un motif (M1) de la dite structure mobile du dit composant dans une zone de semi-conducteur monocristallin (112a, 212a) de la deuxième couche semi-conductrice, et au moins un motif (M' 1) de grille du dit transistor en regard de ladite région donnée.
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