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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und einen Halbleiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Metallisierung (bzw. einen Halbleiterwafer mit entsprechender Metallisierung) und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die einerseits mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (Trockenabscheidung) herstellbar sind und andererseits eine ausreichend hohe Adhäsion eines Lot-Bumps gewährleisten. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung (40) für mindestens ein Kontaktpad (20) weist folgende Verfahrensschritte auf: Aufbringen mindestens eines Kontaktpads (20) auf ein Substrat (10), Aufbringen einer Barriereschicht (30) auf die Oberseite des mindestens einen Kontaktpads (20), und Aufbringen einer Metallisierung (40) auf die Oberseite der Barriereschicht (30), dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (30) und die Metallisierung (40) mittels physikalischer Abscheidung aufgebracht werden und dass die Metallisierung (40) als Schichtstruktur zweier, mehrfach alternierender Metallisierungsschichten (41, 42) ausgebildet wird, wobei die erste Metallisierungsschicht (41) aus Nickel oder einer Ni-Legierung mit einer Schichtdicke kleiner als 500 nm und die zweite Metallisierungsschicht (42) aus einem von Nickel verschiedenen, elektrisch leitfähigen Material ausgebildet wird. |
