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Mit nur einem Übertrager sollen über beide magnetische Flussrichtungen Impulse für zwei unterschiedliche und galvanisch getrennte Ansteuervorgänge von Gates sekundärseitiger MOSFETs genutzt werden. In die eine Richtung soll jeweils ein Gate geladen und mit der Gegenrichtung entladen werden. Bei Verwendung nur eines Impulsübertragers muss verhindert werden, dass der einem Steuerimpuls zum Aufladen, z. B. einer Gate-Kapazität, zwangsläufig folgende Freilaufimpuls einen entgegengerichteten Impuls auslöst, der dann einen fehlerhaften Entladevorgang verursachen würde. Ein gemeinsamer Widerstand verbindet die Primärwicklungen mit einer Spannungsversorgung. Jeder Steuerimpuls eines der angeschlossenen Transistoren verursacht einen Spannungsabfall an diesem Widerstand, der wiederum über eine Diode einen Kondensator entlädt. Sobald der Steuerimpuls beendet ist, wird dieser Kondensator über den Vorwiderstand wieder aufgeladen. Der Ladestrom wird über mindestens eine Basisemitterstrecke eines Transistors geführt, so dass hier durch mit Hilfe zweier Transistoren zwei Wicklungen für jeweils beide magnetische Richtungen kurzgeschlossen werden, so dass der nach jedem Steuerimpuls in Gegenrichtung entstehende Freilaufimpuls unterdrückt wird. Die Schaltung wird zur galvanisch isolierten Ansteuerung von MOSFETs mittels eines kleinen Impulsübertragers in Schaltnetzteilen eingesetzt, wobei eine variable Schaltfrequenz des MOSFETs zu niedrigen Schaltfrequenzen hin ermöglicht wird.
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