Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement

摘要

Es wird eine Dünnschichtverkapselung (1) für ein optoelektronisches Bauelement offenbart. Die Dünnschichtverkapselung (1) weist eine Schichtenfolge (2) auf, die folgende Schichten umfasst: - eine erste mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD-Schicht (3), und - eine zweite mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD-Schicht (4). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Dünnschichtverkapselung und ein optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Dünnschichtverkapselung beschrieben.