Halbleiterlaservorrichtung

摘要

Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.