| 摘要 |
Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von integrierten Halbleiterbauelementen (8) auf einem Träger (2) wird eine aktive Grundstruktur (4) in den Träger (2) zumindest über einen Teil der Grenzen (10) von zu erstellenden Halbleiterbauelementen (8) hinweg durchgängig eingebracht, werden die Bereiche der Halbleiterbauelemente (8) auf dem Träger (2) festgelegt, wird im Bereich jedes Halbleiterbauelements (8) mit Hilfe einer Maske (12) eine Deckschicht (14) auf den Träger (2) aufgebracht und wird der Träger (2) unter Bildung der Halbleiterbauelemente (8) an deren Grenzen (10) durchtrennt. |
