| 发明名称 | 用于正规化半导体器件中的应变的方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种正规化半导体器件中的应变的方法和应变正规化的半导体器件。该方法包括：形成集成电路的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；在第一场效应晶体管和第二场效应晶体管之上形成应力层，应力层在第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的沟道区中引起应变；以及选择性地减薄第二场效应晶体管的至少一部分之上的应力层。 | ||
| 申请公布号 | CN101847605A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010143214.6 | 申请日期 | 2010.03.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | K·伯恩斯泰恩;B·巴尔驰;J·J·埃尔伊斯-莫纳格汉;N·哈比伯 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;黄倩 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成集成电路的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；在所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管之上形成应力层，所述应力层在所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的沟道区中引起应变；以及选择性地减薄所述第二场效应晶体管的至少一部分之上的所述应力层。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||