用于半导体晶片和器件的镍锡接合系统

摘要

本发明涉及一种用于半导体晶片和器件的镍锡接合系统。公开的半导体晶片、衬底和接合结构包括例如包括多个发光二极管的器件晶片、在器件晶片与发光二极管相对的一侧上的接触金属层(或多层)以及在接触金属层上的重量主要为镍和锡的接合金属系统。

主权项

一种接合半导体结构的方法，包括：加热一个三层结构，该结构包括在两个外金属层之间的中间金属层，其中每个外金属层都具有比中间金属层的熔点高的熔点；所述三层结构具有一定量的中间层金属，该中间层金属的量大于在加热步骤期间单独与任一外金属层发生反应所要消耗的量，但小于造成中间层金属超出两个外层所需的功能性反应过剩的量，其中所述功能性反应过剩是指在靠近中间层金属的熔点的温度上将负面影响接缝的功能的中间层金属的量；以及在高于中间金属层的熔点且低于外金属层熔点中的较低值的温度上执行加热步骤，直到中间金属层完全与外金属层发生反应为止。