| 发明名称 | 晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 一种晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法。晶片湿法蚀刻方法包括以下步骤。首先，将一晶片置入于一蚀刻液中。接着，在蚀刻液中转动晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1959938B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200510118748.2 | 申请日期 | 2005.10.31 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 彭国豪;曾国邦 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 一种晶片湿法蚀刻装置，包括：一蚀刻槽，用以容置一蚀刻液；一夹具，用以夹取一晶片进出该蚀刻液；以及一转动机构，设置于该蚀刻槽中，用以在该蚀刻液中转动该晶片，，其中该转动机构为二转柱，以朝同一方向同步转动的方式设置于该蚀刻槽内，当该晶片进入该蚀刻液后，以该晶片表面的法线方向与该二转柱的延伸方向平行的方式接触，该晶片通过该二转柱的转动而在该蚀刻液中转动。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||