| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明的薄膜晶体管包括：栅电极；以覆盖栅电极的方式设置的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上以重叠于栅电极的方式设置的半导体层；设置在半导体层的一部分上的用来形成源区域及漏区域的杂质半导体层；以及设置在杂质半导体层上的布线层，其中源区域及漏区域的宽度小于半导体层的宽度，并且半导体层的宽度至少在源区域和漏区域之间被扩大。 | ||
| 申请公布号 | CN101847662A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010155683.X | 申请日期 | 2010.03.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫入秀和 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：第一布线层；覆盖所述第一布线层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上以重叠于所述第一布线层的方式设置的半导体层；设置在所述半导体层的一部分上的形成源区域及漏区域的杂质半导体层；以及所述杂质半导体层上的第二布线层，其中，所述半导体层包括具有第一宽度的第一区域及具有第二宽度的第二区域，所述第二宽度大于所述第一宽度，并且，所述第二区域至少设置在所述源区域和所述漏区域之间的部分中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||