| 发明名称 | 一种Cu<sub>x</sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。 | ||
| 申请公布号 | CN101159310B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200710047974.5 | 申请日期 | 2007.11.08 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;傅秀峰;陈邦明;吕杭炳;唐立;尹明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法，其特征在于该存储器中，作为存储介质的CuxO采用湿法氧化方法制备，具体步骤为：用浓度为10％到50％的双氧水溶液，在40℃到80℃下，接触暴露出的Cu表面，从而得到存储介质CuxO；这里，1＜x≤2。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||