| 发明名称 |
电子发射元件的制备方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种制备电子发射元件的方法，该方法包括如下步骤：提供一基板；在基板上制备一对下电极；在下电极上放置多个碳纳米管元件；在碳纳米管元件表面制备上电极；形成碳纳米管元件的间隙。该电子发射元件可应用于表面传导电子发射显示装置(Surface-Conduction Electron EmitterDisplay，简称SED)中。 |
| 申请公布号 |
CN101192494B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
| 申请号 |
CN200610157040.2 |
申请日期 |
2006.11.24 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳鹏;范守善;刘亮;姜开利 |
| 分类号 |
H01J9/02(2006.01)I;H01J1/316(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种电子发射元件的制备方法，其包括以下步骤： 提供一基板； 间隔设置两个平行的下电极于该基板表面； 沿垂直于下电极方向设置多个碳纳米管元件于下电极上； 对应设置两个上电极于下电极上，并将上述碳纳米管元件固定于上电极与下电极之间；以及 形成一间隙于位于平行电极之间的碳纳米管元件间。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
