| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法，所述方法不需降低操作温度，可以使用现有的生产线，同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101345218B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200810130304.4 | 申请日期 | 2008.07.04 |
| 申请人 | 株式会社日立显示器 | 发明人 | 服部孝司;波多野睦子 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序；在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序；从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||