一种超小型MEMS陀螺仪传感器的制造方法

摘要

本发明公开一种超小型MEMS陀螺仪传感器的制造方法，其包括步骤：提供MEMS晶圆，通过CVD工艺在晶圆上淀积二氧化硅，然后通过CVD工艺淀积氮化硅；在晶圆的正面刻蚀出二氧化硅和氮化硅的图形，用RIE工艺刻蚀晶圆，形成MEMS结构的弹簧区域和金属填埋区域；在晶圆正面溅射金属层作为种子层，光刻后暴露出填埋区域，然后在金属填埋区域填埋出密度大于硅密度的金属；去除MEMS晶圆正面的光刻胶，去除晶圆表面其余位置的种子层；准备双面抛光的玻璃片，用干法在玻璃片上腐蚀出凹槽，形成晶圆上的质量块和玻璃凹腔的间隙；在晶圆背面溅射金属，光刻后形成电极，最后去除光刻胶。本发明减小质量块的尺寸或增加质量块的质量。

主权项

一种超小型MEMS陀螺仪传感器的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、提供一MEMS晶圆，通过热氧化或CVD工艺在MEMS晶圆上生长或淀积二氧化硅，然后通过CVD工艺淀积氮化硅，作为硅湿法腐蚀的掩膜；S2、在MEMS晶圆的正面刻蚀出二氧化硅和氮化硅的图形，用RIE或ICP工艺刻蚀MEMS晶圆，或把二氧化硅和氮化硅作为掩膜，用湿法刻蚀MEMS晶圆，形成MEMS结构的弹簧区域和MEMS结构中金属填埋区域；S3、在MEMS晶圆正面溅射金属层作为种子层，然后在晶圆正面涂光刻胶，光刻后暴露出金属填埋区域，然后在金属填埋区域填埋出密度大于硅密度的金属或合金；S4、去除MEMS晶圆正面的光刻胶，再利用填埋后的金属图形作为掩膜，去除晶圆表面其余位置的种子层，并利用氮化硅作阻挡层，用CMP方法除去晶圆平面外的金属，使MEMS晶圆正面平整；S5、准备一片双面抛光的玻璃片或硅片，用干法或湿法在硅片或玻璃片上腐蚀出凹槽，然后将MEMS晶圆正面翻转过来与硅片或玻璃片对准后进行阳极键合，形成了MEMS晶圆上的质量块和玻璃凹腔的间隙；S6、利用CMP工艺将MEMS晶圆的厚度减小到1um至100um，在MEMS晶圆背面溅射金属，光刻后形成电极，再进行光刻后用ICP或RIE工艺刻蚀出MEMS器件的质量块和弹簧结构，最后去除光刻胶后完成MEMS陀螺仪传感器的制造。