发明名称 具有双向阈值开关的非易失性存储器
摘要 本发明涉及具有双向阈值开关的非易失性存储器。一种存储设备包括多个存储单元,该多个存储单元设置成具有多个行和多个列的矩阵。每一个存储单元包括存储元件以及选择器,该选择器用于在读操作或者编程操作期间选择相应的存储元件。存储设备进一步包括多个行线,每一个用于选择相应行的存储单元,以及包括多个列线,每一个用于选择相应列的存储单元。对于行线和/或列线中的每个线,存储设备进一步包括相应的本地线组,每一个用于选择相应线的一组存储单元,以及包括相应的选择元件组,每一个用于响应相应线的选择来选择该组的相应本地线。
申请公布号 CN101847442A 申请公布日期 2010.09.29
申请号 CN200911000226.7 申请日期 2009.12.30
申请人 意法半导体股份有限公司 发明人 D·考;G·阿特伍德;G·斯帕迪尼
分类号 G11C16/08(2006.01)I 主分类号 G11C16/08(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李娜;李家麟
主权项 一种存储设备,包括:排列成具有多个行和多个列的矩阵的多个存储单元,其中每一个存储单元包括存储元件以及选择器,该选择器用于在读操作或者编程操作期间选择相应的存储元件;多个阵列线,其包括多个行线和多个列线,该多个行线被配置成分别选择行的存储单元,该多个列线被配置成分别选择列的存储单元;和多个阵列线分别关联的多个本地线组,其中对于每一个组,该组的本地线分别耦合到相应阵列线的存储单元组;以及和本地线组分别关联的多个选择元件组,其中对于每一个选择元件组,每一个选择元件被配置成响应于相应阵列线的选择来选择和该选择元件组关联的本地线组的相应本地线。
地址 意大利布里安扎