| 发明名称 | 生长在刃型位错模板上的Ⅲ族氮化物器件 | ||
| 摘要 | 半导体发光器件包括纤维锌矿III族氮化物半导体结构，此III族氮化物半导体结构包括布置在n型区(71)和p型区(73)之间的发光层(72)。模板层(18)和位错弯曲层(20)在所述发光层(72)之前生长。所述模板层(18)生长为使得所述模板层内的位错的至少70％是刃型位错(29、30、31、32)。所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些延续到所述位错弯曲层内。所述位错弯曲层(20)生长为具有与所述模板层(18)不同量值的应变。在所述模板层(18)和所述位错弯曲层(20)之间的界面处的应变改变导致所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些在所述位错弯曲层内弯曲到不同的取向。生长在弯曲的刃型位错(33)之上的半导体材料可呈现减小的应变。 | ||
| 申请公布号 | CN101849296A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200880101732.2 | 申请日期 | 2008.07.31 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | L·T·罗马诺 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 龚海军;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种器件，包括：纤维锌矿III族氮化物半导体结构，包括：布置在n型区71和p型区73之间的发光层72；在所述发光层之前生长的模板层75，其中：所述模板层具有总数目的位错；以及所述位错的至少70％是刃型位错29、30、31、32。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||