非易失性存储器器件和相关的编程方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。

主权项

一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生用于将所述多个存储器单元编程为多个逻辑状态的电压；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制所述电压生成器，以在多个编程循环迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压，其中，在当前编程循环迭代期间判断与所述多个逻辑状态中的一个逻辑状态相对应的所有选定存储器单元是编程通过的情况下，所述控制逻辑组件控制所述电压生成器，使得在下一个编程循环迭代期间，跳过与所述多个逻辑状态中的所述一个逻辑状态相对应的编程电压。