发明名称 |
一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底,通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化,即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉,新镀上去的待测薄膜即使很薄,也会引起干涉的变化,由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度,其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度,只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱,就可以快速获得待测薄膜的厚度,非常简单、快捷,特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控,尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量,本发明方法克服了传统方法测量的困难。 |
申请公布号 |
CN101846499A |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN201010176138.9 |
申请日期 |
2010.05.14 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司;上海宇豪光电技术有限公司 |
发明人 |
陆卫;王少伟;俞立明;崔宝双;王晓芳;陈效双;郭少令 |
分类号 |
G01B11/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01B11/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法:其特征在于:首先,在衬底(1)上镀制了一层足以引起干涉的打底膜(2)作为衬底膜,测量其透射谱或反射谱;再在其上镀制一层待测薄膜(3);由镀制待测薄膜(3)前后透射谱或反射谱干涉的变化测量出待测薄膜(3)的厚度。 |
地址 |
200083 上海市玉田路500号 |