发明名称 一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法
摘要 本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底,通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化,即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉,新镀上去的待测薄膜即使很薄,也会引起干涉的变化,由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度,其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度,只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱,就可以快速获得待测薄膜的厚度,非常简单、快捷,特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控,尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量,本发明方法克服了传统方法测量的困难。
申请公布号 CN101846499A 申请公布日期 2010.09.29
申请号 CN201010176138.9 申请日期 2010.05.14
申请人 中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司;上海宇豪光电技术有限公司 发明人 陆卫;王少伟;俞立明;崔宝双;王晓芳;陈效双;郭少令
分类号 G01B11/06(2006.01)I 主分类号 G01B11/06(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 郭英
主权项 一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法:其特征在于:首先,在衬底(1)上镀制了一层足以引起干涉的打底膜(2)作为衬底膜,测量其透射谱或反射谱;再在其上镀制一层待测薄膜(3);由镀制待测薄膜(3)前后透射谱或反射谱干涉的变化测量出待测薄膜(3)的厚度。
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