发明名称 一种ITO薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种新型铟锡氧化物(ITO)薄膜的制备方法。其制备过程是,首先将15-50nm的ITO纳米颗粒在乙醇中用偶联剂进行表面修饰,然后再用提拉法或旋涂法将表面修饰的ITO纳米颗粒镀在玻璃上,烘干即得到ITO薄膜。与传统的ITO薄膜制备方法相比,该方法无需真空设备、无需高温、工艺简单,适用于大面积且形状复杂的基体,对基体无损伤,对ITO薄膜的大型产业化有非常重要的作用。
申请公布号 CN101054267B 申请公布日期 2010.09.29
申请号 CN200710003335.9 申请日期 2007.02.02
申请人 菲迪薄膜科技(广州)有限公司 发明人 彭波;韦玮;林群;方发成;高潮
分类号 C03C17/23(2006.01)I 主分类号 C03C17/23(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 孙长龙
主权项 一种ITO薄膜制备方法,其特征在于:首先在一定质量的介质中加入占介质重5%-30%的ITO纳米颗粒,得到均匀分散的ITO溶液;然后在ITO溶液中按ITO纳米颗粒质量加入1%-5%的偶联剂;最后用提拉法或旋涂法将表面修饰的ITO纳米颗粒涂覆在玻璃上并在真空干燥箱中50~60℃下烘0.5-4小时,即获得ITO薄膜。
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