发明名称 |
半导体存储器件 |
摘要 |
硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差,因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外,硫属化物材料热稳定性差,因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层,使剥离强度提高。另外,在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。 |
申请公布号 |
CN1954428B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200580015301.0 |
申请日期 |
2005.05.09 |
申请人 |
株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
松井裕一;松崎望;高浦则克;山本直树;松冈秀行;岩崎富生 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
季向冈 |
主权项 |
一种半导体存储器件,其特征在于:包括半导体衬底;在上述半导体衬底的主面形成的选择晶体管;在上述选择晶体管之上设置的层间绝缘膜;插塞,贯穿上述层间绝缘膜地设置,与上述选择晶体管电连接;相变材料层,其一部分连接在上述插塞上地设置在上述层间绝缘膜之上;设置在上述相变材料层之上的上部电极;以及单层的接合层,将上述相变材料层的下表面与上述层间绝缘膜的表面接合,且将上述相变材料层的下表面与上述插塞的上端接合,上述相变材料层与上述插塞之间的接合层具有导电性,且上述相变材料层与上述层间绝缘膜之间的接合层具有绝缘性,上述相变材料层的整个下表面与上述接合层相接触。 |
地址 |
日本东京都 |