| 发明名称 | 用于制备受控应力的氮化硅膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法包括：提供衬底，所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上；以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述多层氮化硅膜：(a)在基底结构上沉积包括氮化硅的底部层；(b)在所述底部层上沉积包括应力控制材料的中间层；和(c)在所述中间层上沉积包括氮化硅的顶部层。与单独的氮化硅相比，所述应力控制材料选择性地增大或者减小多层氮化硅膜的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN1964002B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200610149888.0 | 申请日期 | 2006.10.27 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | R·苏亚纳哈亚南·耶尔;萨恩吉夫·唐顿;雅各布·W·史密斯 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 一种用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法，包括：提供衬底，所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上；以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述多层氮化硅膜：(a)在所述衬底上沉积包括氮化硅的底部层；(b) 在所述底部层上沉积包括应力控制材料的中间层，以增大所述多层氮化硅膜的应力，其中所述应力控制材料包括含硼材料；以及(c)在所述中间层上沉积包括氮化硅的顶部层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||