发明名称 |
光刻设备和装置制造方法 |
摘要 |
本发明涉及光刻设备和装置制造方法。在使衬底曝光之前,利用基于先前批中的衬底上的对准标记的对准偏移测量和重叠目标的重叠测量而计算的偏移校正和工艺校正实施对衬底的未对准的校正。 |
申请公布号 |
CN101059661B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200710096840.2 |
申请日期 |
2007.04.03 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
R·沃克曼;E·C·莫斯 |
分类号 |
G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种使衬底对准和曝光的方法,所述衬底包含对准标记,所述对准标记配置为用于使所述衬底的后续曝光层对准,所述方法包括:基于一批中的每一个衬底实际的对准标记数据和缺省的对准标记数据模型之间的差异计算剩余偏移,所述批包括多个衬底;确定所述批的衬底的所述剩余偏移的平均值;基于所述剩余偏移的平均值计算对准校正以校正所述衬底的计算的剩余偏移;将所述对准校正用于所述衬底;以及使所述衬底曝光;其中,如果测得的重叠变化大于预定的阀值,则拒绝正被测量的对准标记并且使用备选的对准标记。 |
地址 |
荷兰费尔德霍芬 |