发明名称 |
一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法 |
摘要 |
一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法,属于电子陶瓷材料技术领域。首先将烧结对象升温至高温点T1并保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;再将烧结对象升温至高温点T1并保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;如此循环数次。高温点T1的选择应确保升温到T1时电子陶瓷材料已获得超过70%的理论密度,低温点T2的选择应确保晶界的迁移过程已基本停止,而晶界扩散过程仍然能够进行。本发明克服了现有电子陶瓷材料烧结方法在兼顾高致密化和均匀大晶粒微观结构方面的不足,能够更好地兼顾电子陶瓷材料高致密化和均匀大晶粒生长的要求,最终获得致密化、均匀大晶粒的电子陶瓷材料。 |
申请公布号 |
CN101844927A |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN201010185881.0 |
申请日期 |
2010.05.28 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
苏桦;张怀武;唐晓莉;钟智勇;荆玉兰 |
分类号 |
C04B35/64(2006.01)I;C04B35/26(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/64(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
葛启函 |
主权项 |
一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法,包括升温过程、烧结过程和降温过程;其特征在于,所述烧结过程为一种高低温循环烧结过程:首先使得烧结对象,即电子陶瓷材料在高温点T1下保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;再将烧结对象升温至高温点T1并保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;如此循环数次;其中,高温点T1的选择应确保最初升温到T1时电子陶瓷材料已获得超过70%的理论密度,这样电子陶瓷材料中的气孔会处于一种不稳定的状态,在毛细管力的作用下,在随后较低的温度下仍然能够通过晶界扩散来逐渐排除;低温点T2的选择应确保晶界的迁移过程已基本停止,而晶界扩散过程仍然能够进行;其中,高温点T1下较短的保温时间t1不超过5分钟;低温点T2下较长的保温时间t2为t1的2~10倍。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |