| 发明名称 | 半导体制造方法与装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体制造方法与装置。该方法对一晶片执行一第一工艺，并且在执行完该第一工艺后测量该晶片的晶片数据。将该晶片固定在一工艺腔室中的一静电吸盘上，并且自嵌入在该静电吸盘内的一感应器收集感测数据。根据该晶片数据与该感测数据调整该静电吸盘的夹模力，并且对该工艺腔室中的该静电吸盘上固定的该晶片执行一第二工艺。本发明调整夹模力的操作包括选择性且独立地调整该静电吸盘的每一夹模力，以补偿在执行该第一工艺期间的该晶片的晶片内非均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101847568A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200910146273.6 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王若飞;巫尚霖;牟忠一 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体制造方法，包括下列步骤：对一晶片执行一第一工艺；在执行完该第一工艺后测量该晶片的晶片数据；将该晶片固定在一工艺腔室中的一静电吸盘上；自嵌入在该静电吸盘内的一感应器收集感测数据；根据该晶片数据与该感测数据调整该静电吸盘的夹模力；以及对该工艺腔室中的该静电吸盘上固定的该晶片执行一第二工艺。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||