| 发明名称 | 双极发光场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 双极、发光晶体管，其包括与通过限定晶体管的沟道长度的距离L隔开的电子注入电极和空穴注入电极接触的有机半导体层，其中光从中发射的有机半导体层的区域离电子以及空穴注入电极二者的距离大于L/10。 | ||
| 申请公布号 | CN101847689A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010168735.7 | 申请日期 | 2005.01.17 |
| 申请人 | 剑桥企业有限公司 | 发明人 | J·佐迈塞尔;H·西林豪斯;蔡丽丽;P·K-H·何;R·H·弗兰德 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 一种双极发光晶体管，其包括在注入电极和空穴注入电极之间的有机半导体区，当在偏置状况下操作时，所述有机半导体区能发光，在所述偏置状况下，负电子从电子注入电极注入到有机半导体区内，和正空穴从空穴注入电极注入到有机半导体区内。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||