一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法，包括：提供金属层、接触孔、阻挡层、多根处于有源区的多晶硅和多个源、漏极；其中，多根处于有源区的多晶硅与多个源、漏极形成多个包括栅极、漏极和源极的晶体管；金属层中的多根金属线形成多条字线；多个晶体管的源极形成多条源线；多个晶体管的漏极形成多条位线；依次连接金属层、接触孔、阻挡层、处于有源区的多晶硅形成电容器，其中，阻挡层作为该电容器的介质层；将多个所述晶体管与所述电容器对应连接形成存储单元排布在与存储单元对应的字线、位线和源线之间。通过本发明大大提高了存储器的存储稳定性、进一步缩小了存储器的面积，从而更有利于大规模集成电路的应用。

主权项

一种一次性可编程非易失性存储器单元，包括晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述存储器单元还包括与所述晶体管的栅极串联连接的第一电容器；所述第一电容器由金属层、接触孔、金属硅化物阻挡层和形成栅极的处于有源区的多晶硅依次连接形成；其中，所述金属硅化物阻挡层为所述第一电容器的介质层；所述存储器单元还包括第二电容器；所述第二电容器由形成栅极的处于有源区的多晶硅、栅氧层、有源区依次连接形成；其中，所述第一电容器的面积小于所述第二电容器的面积。