| 发明名称 | 减小SRAM阱邻近效应的方法 | ||
| 摘要 | 一种减小SRAM阱邻近效应的方法，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。所述减小SRAM阱邻近效应的方法较直观并且效率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN101458720B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200710094484.0 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄艳;李家豪 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种减小SRAM阱邻近效应的方法，其特征在于，包括下列步骤，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件中同一MOS管的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势不相同，则将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界的移动方向取反，并保持移动距离不变来重新获得对应的SRAM更新布图；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，所测得的电性参数与对应目标值的差值超出容忍范围，则改变单个SRAM初始布图同一阱中两条边界的移动距离来重新获得对应的SRAM更新布图，直到所测得的根据所述SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数与对应的目标值差值在容忍范围之内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||