用以定义TFT的源极、漏极与半导体层的图案的灰阶光罩

摘要

一种用于定义TFT的源极、漏极与半导体层的图案的灰阶光罩，其包含有一基板以及设于该基板上的一遮蔽图案、一半透光图案以及一透光区。该遮蔽图案是用于定义薄膜晶体管的漏极、源极的图案以及设于该源极或漏极下方的半导体层的图案，该半透光图案是用以定义未被源极、漏极所覆盖的半导体层的图案，且该半透光图案大体上是包围在该遮蔽图案的外侧，并且该半透光图案的外缘是与漏极或源极的边缘保持一定的距离。

主权项

一种用于定义TFT的源极、漏极与半导体层的图案的灰阶光罩，其特征在于，包含：一基板；一遮蔽图案，设于该基板上，该遮蔽图案包含：一第一遮蔽图案，用以定义薄膜晶体管的漏极的图案与位于漏极下方的半导体层的图案，其中该第一遮蔽图案具有一第一边与一第二边，且该第一边与该第二边大体上垂直；以及一第二遮蔽图案，用以定义薄膜晶体管的源极的图案与位于源极下方的半导体层的图案，该第二遮蔽图案具有一第一边与一第二边，该第一边与该第二边大体上垂直，且该第一遮蔽图案的该第一边与该第二遮蔽图案的该第一边大体上平行且二者之间具有一间隙；一半透光图案，设于该基板上，用以定义未被漏极与源极覆盖的半导体层的图案，其中该半透光图案具有一主要图案设于该第一遮蔽图案与该第二遮蔽图案之间的该间隙内，以及一第一延伸图案自该主要图案向外延伸并包覆该第一遮蔽图案的该第二边与该第二遮蔽图案的该第二边；以及一透光区，设于该基板上。