| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成伪栅堆叠，以及在伪栅堆叠两侧形成一层或多层侧墙；注入形成源极和漏极，并对源极和漏极进行高温退火激活；去除伪栅堆叠；刻蚀伪栅堆叠之下的所述衬底以形成沟槽；在沟槽中形成沟道应变层；在沟道应变层之上形成栅堆叠。本发明实施例在对源极和漏极高温退火激活之后再通过后栅(gate last)工艺形成沟道应变层，从而能够确保高温和低温步骤之间不相互影响，因此本发明不仅能够保证沟道应变层的性能，还能够确保源极和漏极的激活率。 | ||
| 申请公布号 | CN101847582A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010151185.8 | 申请日期 | 2010.04.16 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;郭磊;谭桢;许军 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 廖元秋 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成伪栅堆叠，以及在所述伪栅堆叠两侧形成一层或多层侧墙；注入形成源极和漏极，并对所述源极和漏极进行高温退火激活；去除所述伪栅堆叠；刻蚀所述伪栅堆叠之下的所述衬底以形成沟槽；在所述沟槽中形成沟道应变层；在所述沟道应变层之上形成栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100084 北京市100084-82信箱 | ||