集成无源器件的半导体芯片及功率放大器器件

摘要

本发明公开了一种集成无源器件的半导体芯片，包括高阻衬底、绝缘层和金属层，所述半导体芯片的上表面设置有至少一组左右整齐排列的两列键合区，每一组中同一行的两个键合区通过金属层的走线直线连接，第一列的每个键合区通过在基板上方同方向的弧形立体键合线连接到第二列相邻行的键合区，使得两列所有的键合区被由金属层走线以及立体键合线组成的螺旋回路所贯穿，所述螺旋回路的两端被引出，从而形成一个电感。本发明还公开了一种功率放大器器件，其中的电感采用上述集成无源器件的半导体芯片实现。本发明实现了功率放大器输出阻抗匹配电路的集成，减少了功率放大器模块封装中的引脚焊盘数，从而减小射频功率放大器模块的封装尺寸，降低产品的成本。

主权项

一种集成无源器件的半导体芯片，其特征在于，包括高阻衬底，所述高阻衬底上在隔有一层绝缘层之后，包括至少一个金属层，所述半导体芯片的上表面设置有至少一组左右整齐排列的两列键合区，每一组中同一行的两个键合区通过金属层的走线直线连接，第一列的每个键合区通过在基板上方同方向的弧形立体键合线连接到第二列相邻行的键合区，使得两列所有的键合区被由金属层走线以及立体键合线组成的螺旋回路所贯穿，所述螺旋回路的两端被引出，从而形成一个电感。