绝缘栅极型半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体(100)从其上表面侧依次具有P-主体区域(41)和N-漂移区域(12)。形成通过P-主体区域(41)的栅极沟槽(21)和端子沟槽(62)。各个沟槽在其底部由P扩散区域(51、53)围绕。栅极沟槽(21)其中建立栅电极(22)。形成P-扩散区域(52)，其与栅极沟槽(21)的纵向端部接触，并且浓度低于P-主体区域(41)和P扩散区域(51)。P-扩散区域(52)当栅极电压关闭时在P扩散区域(51)之前耗尽。P-扩散区域(52)用作当栅极电压接通时将空穴供应到P扩散区域(51)的路径。

主权项

一种绝缘栅极型半导体器件，具有主体区域和漂移区域，所述主体区域位于半导体衬底内的上表面侧，并且为第一导电类型的半导体，所述漂移区域与所述主体区域的下表面接触并且为第二导电类型的半导体，其特征在于，所述绝缘栅极型半导体器件包括：沟槽，从所述半导体衬底的上表面穿过所述主体区域，并且在所述沟槽底部形成有被沉积的绝缘层；栅极绝缘膜，位于所述沟槽的侧壁处；栅电极，位于所述沟槽内并且隔着所述栅极绝缘膜面向所述主体区域；掩埋扩散区域，位于所述栅电极下方，由所述漂移区域围绕，并且所述沟槽的底部位于所述掩埋扩散区域内，所述掩埋扩散区域是所述第一导电类型的半导体；以及低浓度扩散区域，与所述主体区域和所述掩埋扩散区域接合，并且其浓度低于所述掩埋扩散区域，所述低浓度扩散区域是所述第一导电类型的半导体；其中，当栅极电压关闭时，所述低浓度扩散区域中的在厚度方向上的至少一部分比所述掩埋扩散区域先耗尽；其中所述掩埋扩散区域布置在这样的位置，其使得电场峰值分别形成在包括所述主体区域和所述漂移区域之间的PN结以及所述掩埋扩散区域和所述漂移区域之间的PN结的两个部分处。