| 发明名称 | 设备及设备制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101849276A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200880114556.6 | 申请日期 | 2008.10.14 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 内海淳;后藤崇之;井手健介;高木秀树;船山正宏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;B23K20/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种设备，具有：第一基板，其主成分为二氧化硅，第二基板，其主成分为硅、化合物半导体、二氧化硅和氟化物中的任一个，以及接合功能中间层，其配置于所述第一基板和所述第二基板之间；其中，通过使所述第一基板的被溅射的第一表面和所述第二基板的被溅射的第二表面经由所述接合功能中间层接触的常温接合，所述第一基板接合于所述第二基板，所述接合功能中间层的材料与所述第一基板的主成分不同，与所述第二基板的主成分不同，所述接合功能中间层的材料选自氧化物、氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||