栅极形成方法

摘要

一种栅极形成方法，包括：在半导体基底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行掺杂操作；在经历掺杂后的多晶硅层上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，利用氢氟酸溶液图形化所述钝化层；以图形化的所述钝化层为掩膜，图形化经历掺杂后的多晶硅层，以形成栅极。可在确定的栅极临界尺寸下，减少栅极颈相缺陷的产生。

主权项

一种栅极形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行掺杂操作；在经历掺杂后的多晶硅层上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层，所述钝化层包括氮化硅、碳化硅和碳氮化硅中的一种或其组合；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，利用氢氟酸溶液图形化所述钝化层，以避免采用热磷酸溶液图形化钝化层时，热磷酸易消耗多晶硅层中的掺杂材料，造成靠近已图形化的钝化层的多晶硅层的成分区别于靠近未图形化的钝化层的多晶硅层的成分，从而导致栅极顶部尺寸小于底部尺寸；以图形化的所述钝化层为掩膜，图形化经历掺杂后的多晶硅层，以形成栅极。