适用于CMOS结构的无残留构图层形成方法

摘要

一种用于形成微电子结构的方法使用位于目标层上方的掩模层。可使用掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻目标层，以由目标层形成端部锥形的目标层。可将额外目标层形成在端部锥形的目标层上方，且被额外掩模层所掩蔽。可蚀刻额外目标层，以形成构图的额外目标层，其与端部锥形的目标层分隔，并且邻近端部锥形的目标层没有额外目标层残留。本方法可用于制造这样的CMOS结构，该CMOS结构所包括的nFET与pFET栅极电极具有不同的nFET与pFET栅极电极材料。

主权项

一种形成构图层的方法，包括：在位于衬底上方的目标层上方形成掩模层；以及使用所述掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层，以提供位于所述衬底上方的锥形目标层，所述锥形目标层具有相对于所述衬底的平面的从约30度至约80度的端部锥形。