制造快闪存储器件的方法

摘要

本发明涉及制造快闪存储器件的方法。所述方法可包括在具有单元区的半导体衬底上形成第一和第二层间绝缘膜，蚀刻第二和第一层间绝缘膜，因此形成通过其暴露单元区的结区的接触孔，在接触孔内形成接触塞，所述接触塞的高度低于所述第一和第二层间绝缘膜的界面的高度，和在所述接触塞上在所述接触孔侧壁上形成隔离物。

主权项

一种制造快闪存储器件的方法，包括以下步骤：在具有单元区的半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜；蚀刻所述第二和第一层间绝缘膜以形成暴露所述单元区的结区的接触孔；在所述接触孔内形成接触塞，所述接触塞具有低于所述第一和第二层间绝缘膜界面高度的高度；和在所述接触塞上方，在所述接触孔的侧壁上形成隔离物。