发明名称 |
溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底 |
摘要 |
作成一种烧结体,其含有作为成分的氧化锢、氧化锌、氧化锡的1种以上,在该烧结体中含有氧化铪、氧化钽、镧系氧化物、及氧化铋的任1种以上的金属。在该烧结体上安装背板构成溅射靶。利用该溅射靶通过溅射在给定衬底上制造导电膜。该导电膜维持与过去相同程度的透明性,同时实现大的功函数。使用该导电膜,能够实现空穴注入效率提高的EL元件等。 |
申请公布号 |
CN1869277B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200610088618.3 |
申请日期 |
2003.05.26 |
申请人 |
出光兴产株式会社 |
发明人 |
井上一吉;川村久幸 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
熊玉兰;邹雪梅 |
主权项 |
金属氧化物薄膜,该薄膜与阳极层相邻接,其特征在于,该薄膜包含氧化铟和一种以上镧系金属氧化物,且电阻率为10+4Ωcm~10+8Ωcm。 |
地址 |
日本东京都千代田区丸之内3丁目1番1号 |