发明名称 溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底
摘要 作成一种烧结体,其含有作为成分的氧化锢、氧化锌、氧化锡的1种以上,在该烧结体中含有氧化铪、氧化钽、镧系氧化物、及氧化铋的任1种以上的金属。在该烧结体上安装背板构成溅射靶。利用该溅射靶通过溅射在给定衬底上制造导电膜。该导电膜维持与过去相同程度的透明性,同时实现大的功函数。使用该导电膜,能够实现空穴注入效率提高的EL元件等。
申请公布号 CN1869277B 申请公布日期 2010.09.29
申请号 CN200610088618.3 申请日期 2003.05.26
申请人 出光兴产株式会社 发明人 井上一吉;川村久幸
分类号 C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/08(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 熊玉兰;邹雪梅
主权项 金属氧化物薄膜,该薄膜与阳极层相邻接,其特征在于,该薄膜包含氧化铟和一种以上镧系金属氧化物,且电阻率为10+4Ωcm~10+8Ωcm。
地址 日本东京都千代田区丸之内3丁目1番1号