| 发明名称 | 形成超浅结的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成超浅结的方法，包括：对半导体衬底进行离子注入；对所述半导体衬底进行预退火操作，将所述半导体衬底由室温升温至中间温度值；通入氧气，对所述半导体衬底进行退火操作，将所述半导体衬底由所述中间温度值升温至退火温度峰值；对所述半导体衬底进行降温操作，将所述半导体衬底由退火温度峰值降至室温。在形成超浅结的过程中采用峰值退火方法，可在一次热处理过程中同时完成掺杂材料的激活及晶格损伤的修复；在峰值退火过程中通入氧气，减少了掺杂离子的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN101207020B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200610147797.3 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郭佳衢;何永根;戴树刚;刘云珍 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种形成超浅结的方法，包括：对半导体衬底进行离子注入；对所述半导体衬底进行预退火操作，将所述半导体衬底由室温升温至中间温度值；在所述升温过程中通入氧气，对所述半导体衬底进行退火操作，将所述半导体衬底由所述中间温度值升温至退火温度峰值，所述氧气浓度范围为300～500ppm，以防止半导体衬底表面被氧化过多而形成较厚的氧化层；对所述半导体衬底进行降温操作，将所述半导体衬底由退火温度峰值降至室温。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||