发明名称 |
电子发射器件 |
摘要 |
本发明涉及一种电子发射器件,其包括:一电子发射体,其包括一维纳米结构;一相对于该电子发射体设置的阳极;一第一电源,用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场;及一第二电源,用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压,可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流;此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质,可获取稳定性较佳的发射电流;另一方面,该加热电压较低,发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。 |
申请公布号 |
CN1949449B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200510100365.2 |
申请日期 |
2005.10.14 |
申请人 |
北京富纳特创新科技有限公司;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
姜开利;柳鹏;魏洋;刘亮;范守善 |
分类号 |
H01J31/12(2006.01)I;H01J29/00(2006.01)I;H01J1/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01J31/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种电子发射器件,其包括:一电子发射体;一阳极,其相对于该电子发射体设置;及一第一电源,用以在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场;其特征在于该电子发射器件还进一步包括一第二电源,用以向该电子发射体施加一加热电压,该电子发射体包括一碳纳米管丝,且该碳纳米管丝与所述第二电源串联。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学学研综合楼B座1115号 |