| 发明名称 |
一种场发射阴极的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；利用一模板在金属层表面压印形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长碳纳米管。 |
| 申请公布号 |
CN1988100B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
| 申请号 |
CN200510121025.8 |
申请日期 |
2005.12.20 |
| 申请人 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
董才士 |
| 分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种场发射阴极的制备方法，包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；利用一模板在该金属层表面压印形成多个凹槽；对该金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除该多个凹槽底部的金属氧化物层；在该凹槽底部设置一层金属盐溶液；在该凹槽底部生长碳纳米管。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
