发明名称 |
一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法 |
摘要 |
一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法,涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成,厚度0.2~50mm,单根长度为50微米至5厘米。方法:凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体,然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料,再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉,在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端,作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀,复合材料性能提高。方法简单,制备周期短,大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。 |
申请公布号 |
CN101845711A |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN201010204482.4 |
申请日期 |
2010.06.21 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
温广武;张晓东;黄小萧;耿欣;朱建东;孙梦 |
分类号 |
D04H1/42(2006.01)I;D04H1/70(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I |
主分类号 |
D04H1/42(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
韩末洙 |
主权项 |
一种碳化硅纳米无纺布,其特征在于碳化硅纳米无纺布是由SiC纳米纤维自组装交叉叠加在一起形成,呈三维空间网状结构,SiC纳米无纺布的厚度为0.2~50mm,其中,单根SiC纳米纤维为β-SiC的单晶相,直径50~200nm,长度为50微米至5厘米。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |