| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够独立于电极温度地任意、简便且高效地对以覆盖被处理基板的周围的方式安装于下部电极的聚焦环进行加热。在该等离子体蚀刻装置中，在未向腔室(10)的处理空间供给处理气体时，不产生高频放电，等离子体生成用负载实质上不存在。在该情况下，聚焦环加热用负载代替等离子体生成用负载，成为对于高频电源(28)的实质上的负载，匹配器(32A)动作，使得该负载与高频电源(28)阻抗匹配。这里，从基座(12)经由聚焦环(36)和电介质(44)到达接地电位的筒状支承部件(16)的高频传送路径作为聚焦环加热用负载被利用。 | ||
| 申请公布号 | CN101847558A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010145122.1 | 申请日期 | 2010.03.26 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 舆水地盐;山泽阳平 |
| 分类号 | H01J37/02(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极；以覆盖所述下部电极的向所述基板的半径方向外侧伸出的周边部分的至少一部分的方式安装于所述下部电极的聚焦环；在所述处理容器内与所述下部电极平行相对的上部电极；为了对所述基板实施期望的等离子体处理，将期望的处理气体供向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间的处理气体供给部；输出频率适于进行气体的高频放电的第一高频的第一高频电源；等离子体生成用高频供电部，其以阻抗匹配的状态将来自所述第一高频电源的所述第一高频供向第一负载，该第一负载用于在所述处理空间通过高频放电生成所述处理气体的等离子体；和聚焦环加热用高频供电部，其以阻抗匹配的状态将来自所述第一高频电源的所述第一高频供向第二负载，该第二负载用于使所述聚焦环发热直至期望的温度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||