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一种形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，其特征在于，它包括以下步骤：(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材料的势垒层(15)的上表面和电极(16)表面涂覆以聚合物(19)；(b)将涂有聚合物(19)的一面朝下倒扣安装于压盘(21)上，并在聚合物(19)和压盘(21)之间填充粘合剂(20)；(c)将衬底(11)的表面(12)采用机械研磨的方法进行研磨并抛光，最终将衬底(11)减薄到50～100μm；(d)在衬底(11)的表面(12)覆盖厚度为2-5μm的掩膜层(23)，掩膜层(23)中有与器件或者电路中需要进行通孔接地的电极(16)正对的用于确定通孔的预定位置的开孔；其中掩膜层(23)为Ti/Ni双层金属；(e)采用氟基气体的电感耦合等离子体刻蚀衬底(11)从而获得通孔(24)；(f)保留掩膜层(23)，换用氯基气体的电感耦合等离子体对铝镓氮化物/氮化镓异质结材料进行刻蚀以形成电极(16)的接地通孔(17)；(g)去除掩膜层(23)，并对通孔(17)以及衬底(11)的表面(12)金属化，从而形成电极(16)到衬底(11)的表面(12)上的一个完整的接头，最终实现电极(16)的接地；其中掩膜层(23)的制作方法包括以下步骤：(a)在衬底(11)的表面(12)上涂覆光刻胶，光刻并显影，形成通孔刻蚀区域的光刻胶层(22)；(b)在衬底(11)的表面(12)上采用电子束蒸发的方法依次淀积50纳米的金属钛和100纳米的金属镍形成掩膜层(23)，金属镍同时覆盖在光刻胶层(22)上；(c)将光刻胶层(22)连同其上的金属剥离后形成掩膜层(23)中正对电极(16)的用以确定通孔位置的开孔；(d)将金属镍采用电镀的方法加厚至2-5μm。 |
