发明名称 一种具有磁场增强和调节功能的磁控溅射靶
摘要 一种具有磁场增强和调节功能的磁控溅射靶,包括靶体、内部磁路、水冷系统,其特征在于该靶在正磁环后部与导磁轭铁相接处的导磁轭铁外部,设置了径向充磁的侧磁环;在靶的下部设有双级位置调节机构。径向充磁的侧磁环可以明显减少靶外侧面的漏磁通,大大增强靶材表面位置处的水平磁场,从而能够满足镀制铁磁材料的强磁场要求。双级位置调节机构,能够分别在线、连续改变靶面相对于靶座法兰板的前后位置,从而调节靶基距和靶内磁路结构部分相对于靶材表面的前后位置,使之适合于对表面磁场有不同要求,如不同导磁率、不同厚度的靶材的溅射镀膜工艺过程。本发明为磁控溅射真空镀膜的工艺参数调节提供一种方便快捷的关键部件结构。
申请公布号 CN101280420B 申请公布日期 2010.09.29
申请号 CN200810011602.1 申请日期 2008.05.28
申请人 东北大学 发明人 张世伟;徐成海;张晓玉;戴今古
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人 梁焱
主权项 一种具有磁场增强和调节功能的磁控溅射靶,包括靶体、内部磁路和水冷系统,其特征在于,靶材安装在靶壳的上表面,正磁环安装在靶壳的下面靠近外边处,在正磁环的下表面靠近正磁环外环的部位安装有径向充磁的侧磁环,侧磁环的内环面与导磁轭铁的外面相连接,侧磁环其轴向高度等于或略小于导磁轭铁的侧边高度,侧磁环的径向厚度为正磁环径向厚度的1/2~1/3,中心磁柱、正磁环和侧磁环的充磁方向与装配关系有固定要求,当中心磁柱上表面为S极时,正磁环上表面为N极,侧磁环外表面为N极,当中心磁柱上表面为N极时,正磁环上表面为S极,侧磁环外表面为S极;双级位置调节机构的冷却水管外设有靶管,两个冷却水管穿过靶座并与导磁轭铁相连接,在左右两靶管中心位置设有长螺杆,长螺杆通过靶管提升座板和靶管螺帽、靶管压垫、靶管半卡环、靶管套垫,与靶座的套管绝缘连接,靶管提升座板通过螺钉和中间压板固定短螺套,短螺套通过螺纹与水管提升座板连接,水管提升座板通过圆螺母、圆螺母垫片、水管小压垫、水管小套垫和水管小半环,与导磁轭铁组焊件的冷却水管绝缘连接。
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