用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜

摘要

本发明涉及用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜。提供了一种用于使用掩埋晶种1脉冲层间结晶化工艺结晶化半导体膜的方法。该方法在透明衬底上以该顺序形成具有结晶结构的第一半导体膜，具有暴露第一半导体膜顶表面的一部分的开口的绝缘体层，然后以该顺序形成具有非晶结构的第二半导体膜。激光退火第二半导体膜使得第二半导体膜完全熔化并且第一半导体膜局部熔化。使用未熔化的第一半导体膜作为晶种，结晶化第二半导体膜。

主权项

一种用于使用掩埋晶种受激准分子激光器层间结晶化工艺结晶化半导体膜的方法，该方法包括以下步骤：形成具有结晶结构、覆盖在透明衬底上面的第一半导体膜；形成覆盖在第一半导体膜上面的绝缘体层；在绝缘体层中形成开口，该开口暴露第一半导体膜的顶表面的一部分；形成覆盖在绝缘体层上面的具有非晶结构的第二半导体膜；激光退火第二半导体膜；响应于激光退火的步骤，完全熔化第二半导体膜并且局部熔化第一半导体膜；以及使用未熔化的第一半导体膜作为晶种，结晶化第二半导体膜，其中在形成第一半导体膜的步骤中，当从垂直于透明衬底的方向观察第一半导体膜时，第一半导体膜形成为“ㄈ”形；以及激光退火第二半导体膜的步骤包括在利用来自第二激光源的至少一个激光能量密度脉冲熔化第二半导体膜之前，利用来自第一激光源的至少一个激光能量密度脉冲预加热衬底。