| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及改进的半导体结构及其制作方法，使得在相同的绝缘层内，嵌在相同的绝缘层级内的Cu互连具有与嵌在相同的绝缘层级内的其它Cu互连不同的Cu粒度。 | ||
| 申请公布号 | CN101483172B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200910001721.3 | 申请日期 | 2009.01.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杨智超;许履尘;拉齐夫·V·约什 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：绝缘层内的第一和第二开口，所述第一和第二开口在相同的绝缘层内；阻挡材料，淀积在所述第一和第二开口中的所述绝缘层上；铜晶粒促进材料，淀积在所述第一开口的所述阻挡材料上；铜种子，淀积在所述第一开口的所述铜晶粒促进材料上并且淀积在所述第二开口的所述阻挡材料上；铜，被电镀在所述第一和第二开口内的所述铜种子上；以及其中所述铜晶粒促进材料增大所述第一开口中的所电镀的铜的粒度，使得在所述第一开口中生长的所电镀的铜的平均粒度大于所述第二开口中的所电镀的铜的平均粒度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||