制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法

摘要

本发明公开了一种制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和PHEMT源漏，蒸发PIN下电极和PHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和PHEMT源漏金属、欧姆接触合金、PHEMT台面腐蚀隔离、PHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。本发明将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现了单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。

主权项

一种制作单片集成砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发形成上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和PHEMT源漏、蒸发形成PIN下电极和PHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和PHEMT源漏区域之外的金属、欧姆接触合金、PHEMT台面腐蚀隔离、PHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属；其中：所述剥离上电极金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除上电极区域之外的金属；所述剥离PIN下电极和PHEMT源漏金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除下电极和PHEMT源漏区域之外的金属；所述欧姆接触合金包括：在280℃合金1分钟，使PIN上、下电极和PHEMT源漏电极形成欧姆接触；所述蒸发栅金属包括：漂洗、蒸发栅金属Ti/Pt/Au，其中，Ti为50纳米，Pt为80纳米，Au为220纳米；所述剥离栅金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除栅区域之外的金属；所述生长钝化介质包括：PECVD生长SiN介质200纳米；所述蒸发布线金属包括：打底胶、漂洗、蒸发布线金属Ti/Au，其中，Ti为50纳米，Au为1000纳米；所述剥离布线金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除布线区域之外的金属。