| 发明名称 | 一种晶体管及包括其的显示面板 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及包含其的显示面板，涉及半导体器件领域。本发明的晶体管可以降低碱金属离子扩散进半导体区块的机会，其包括：基板；设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。 | ||
| 申请公布号 | CN101847660A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200910127789.6 | 申请日期 | 2009.03.23 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 曹俊杰;游秉丰 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种晶体管，其特征在于包括：基板；设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 | ||