| 发明名称 | 具有垂直晶体管的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有垂直晶体管的半导体装置，其包括：多个作用柱；围绕该作用柱的侧壁的多个垂直栅极；具有表面高于该作用柱的露出侧壁且将相邻的垂直栅极连接在一起的多条字线；及在垂直栅极上方围绕该字线的该露出侧壁的多个间隔物。 | ||
| 申请公布号 | CN101847637A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200910175779.X | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛钟汉 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包含：多个作用柱；围绕所述作用柱的侧壁的多个垂直栅极；具有其表面高于所述作用柱的露出侧壁且将相邻的所述垂直栅极连接在一起的多条字线；以及在所述垂直栅极上方且围绕所述字线的所述露出侧壁的多个间隔物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||